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摘要: APD-FET和PIN-FET类似,只不过APD所需偏置电压较高,所以一般不宜采用图12.4那样的电路,宜采用图12.6那样的电路,或者 带反馈的如LaserITon公司的QDAx-500,如图12.6所示。在深度负反馈(电压并联)条件下,放大器Ul的增益即为反馈电阻值4kQ 。 APD-TIA的应用与PIN-TIA应用类似,由于APD的击穿电压会随温度而变化,在实际应用中对APD的偏压要进行温
APD-TIA的应用与PIN-TIA应用类似,由于APD的击穿电压会随温度而变化,在实际应用中对APD的偏压要进行温度补偿,多数APD组件 都集成了温敏元件以便进行补偿。
上一篇:秒信号发生器电路图
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |