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栅极上加偏压

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:961

标签:

摘要: ;;; 栅极上加偏压;;; 照片2.4是输入信号Vi与FET的栅MSP430F135IPMR极电位vg的波形。%的交流成分就是能够通过耦合电容Cl的输入信号铆VI。;;; vg的直流成分是由Ri与Rz形成的1.7V电压。这个电压加在FET的栅极上,叫做栅偏压。与双极晶体管相同,FET也需要在栅极上加直流偏压。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;;

;;; 栅极上加偏压
;;; 照片2.4是输入信号Vi与FET的栅MSP430F135IPMR极电位vg的波形。%的交流成分就是能够通过耦合电容Cl的输入信号铆VI。
;;; vg的直流成分是由Ri与Rz形成的1.7V电压。这个电压加在FET的栅极上,叫做栅偏压。与双极晶体管相同,FET也需要在栅极上加直流偏压。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;;
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67