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摘要: ;;; 栅极上加偏压;;; 照片2.4是输入信号Vi与FET的栅MSP430F135IPMR极电位vg的波形。%的交流成分就是能够通过耦合电容Cl的输入信号铆VI。;;; vg的直流成分是由Ri与Rz形成的1.7V电压。这个电压加在FET的栅极上,叫做栅偏压。与双极晶体管相同,FET也需要在栅极上加直流偏压。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;;
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |