在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率就使用了新一代半导体技术，在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平。 电源设计工程师一直都面临着许多的设计挑战，这是由于先进处理器本身的要求和越来越多的功能都需要消耗功率。电路板中留给电源转换器的空间常常被压缩，即使是在需要许多种供电电压和实际输出功率不断增加的情况。先进的形式，例如DaulCool NexFET功率MOSFET就有助于工程师在标准封装中满足这些需求。采用了NexFET技术的功率MOSFET通过降低开关损耗和具有顶部散热能力的DaulCool功率封装技术可以实现更高的工作频率，从而能够获得更高的功率密度。 理想开关 在典型的同步降压开关电源转换器中，MOSFET作为开关使用时的主要损耗包括开关损耗、传导损耗、体二极管损耗和栅极驱动损耗。开关损耗主要是由器件本身结构的寄生电容产生的。传导损耗是器件工作在增强模式时由导通电阻(RDS(on))产生的。体二极管损耗是正向电压和反向恢复电荷(Qrr)的函数。栅极驱动损耗由MOSFET的栅电荷(Qg)决定。因此，寄生电容和导通电阻(RDS(on))决定了器件在特定应用中的性能。在现今的低压中最普遍使用的技术是TrenchFET(如图1所示)。

图1 MOSFET结构比较 TrenchFET技术的广泛使用是由于它替代平面技术的特定管芯尺寸下具有极低的导通电阻，唯一的不足就是寄生电容通常会有所增加。面积比较大的沟道墙使它很难降低内部的寄生电容，这种电容使工程师只能在优化性能的低工作频率和具有更好功率密度的高工作频率之间做出选择。