*CMOS DRAM
*结构：1,048,576 字×16 位
*高速
45/50/60 ns RAS 存取时间(AS4C1M16E5)
50/60 ns RAS 存取时间(AS4C1M16F5)
20/20/25 ns 超页面周期(AS4C1M16E5)
20/25 ns 超页面周期(AS4C1M16F5)
10/12/15 ns CAS 存取时间(AS4C1M16E5)
13/17 nsCAS 存取时间(AS4C1M16F5)
*低功耗
运行：740 mW 最大 (AS4C1M16E5-60),
880 mW 最大 (AS4C1M16F0-60)
静态：5.5 mW 最大,CMOS DQ(AS4C1M16E5),
11 mW最大,CMOS DQ(AS4C1M16F5)
*扩展数据输出
*刷新周期1024/16ms
*读取－修改－写入
*兼容TTL,三态DQ
*5V 工作电压
*封装：SOJ-44(400mil)，TSOP－44/50(400mil)
*工业级和商业级温度范围