EMT18T2R概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列
系列:-
晶体管类型:2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 10mA, 200mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):270 @ 10mA, 2V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:260MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:EMT6
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:EMT6