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EMT1DXV6T1G

浏览次数:142次

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EMT1DXV6T1G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
ONSEMI/安森美
¥0.51

EMT1DXV6T1G中文资料规格参数

EMT1DXV6T1G概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列
系列:-
晶体管类型:2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA, 6V
功率 - 最大:500mW
频率 - 转换:140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563, SOT-6
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SOT-563

EMT1DXV6T1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
1926
ONSEMI/安森美
09+PB
SOT-363
自家库存原装现货
2900
ONSEMI/安森美
18+
SOT563
SSCP认证现货原标签
深圳
30000
HAMOS/汉姆
24+
SOT563
汉姆原厂授权代理商
深圳
12000
ONSEMI/安森美
24+
N/A
原装正品接受排单定货
深圳
4000
ONSEMI/安森美
1247
全新原装现货

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