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IXGN200N60B

浏览次数:263次

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IXGN200N60B中文资料规格参数

IXGN200N60B概述

制造商: IXYS
封装 / 箱体: SOT-227B
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 200 A
封装: Tube
配置: Single Dual Emitter
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C

IXGN200N60B数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
HiPerFASTTM IGBTHiPerFASTTM IGBT
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
1462
IXYS/艾赛斯
17+
SOT227
优势库存实报现货供应可拆样品
132
IXYS/艾赛斯
15+
主打系列模块价低质优
1290
IXYS/艾赛斯
19+
MODULE
质量好价格低
5
IXYS/艾赛斯
03+
SOT-227
优势库存欢迎查询0755-82559819
1500
IXYS/艾赛斯
17+
SOT227
优势现货供应诚信经营顾客至上

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