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IXTH180N10T

浏览次数:146次

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IXTH180N10T中文资料规格参数

IXTH180N10T概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:TrenchMV™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.4 毫欧 @ 25A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:180A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:151nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6900pF @ 25V
功率 - 最大:480W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247
包装:管件
供应商设备封装:*

IXTH180N10T数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
87700
IXYS/艾赛斯
20+
TO-247
国产品牌原装丝印进口品质可特殊要求定做
深圳
86666
IXYS/艾赛斯
24+
TO247
■现货大量发货■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
深圳
1980
IXYS/艾赛斯
20+
TO-247
散新原字原脚
38658
IXYS/艾赛斯
24+
TO-247
全新台产质量保证,更多型号联系QQ
深圳
200000
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2025+
TO-247IXTH
专业场效应管可控硅量大可谈
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