类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：TrenchMV™
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 毫欧 @ 50A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：85V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：112A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：152nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：7600pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUSi5-Pak™
包装：管件
供应商设备封装：*