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STGB20NB37LZT4

浏览次数:129次

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STGB20NB37LZT4中文资料规格参数

STGB20NB37LZT4概述

制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: D2PAK
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
集电极—射极击穿电压: 28 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: 12 V
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 660 uA
功率耗散: 200 W
封装: Reel
配置: Single

STGB20NB37LZT4数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
STMicroelectronics
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
32322
ST/意法
22+
D2PAK
现货热卖质量保证
12855
ST/意法
14+
TO-263
热卖优势现货-华强32C066
深圳
3000
ST/意法
23+
TO-263
专营IGBT
1068
ST/意法
23+
只做进口原厂原装正品假一罚十
3500
ST/意法
15+
TO263
特价量大可以发货

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