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STGW30NC120HD

浏览次数:622次

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STGW30NC120HD中文资料规格参数

STGW30NC120HD概述

制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极击穿电压: 1.2 KV
集电极—射极饱和电压: 2.75 V
栅极/发射极最大电压: 25 V
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
功率耗散: 220 W
封装: Tube
配置: Single

STGW30NC120HD数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
STMicroelectronics
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
36688
ST/意法
15+
TO247
价格优势质量保证诚信经营
5268
ST/意法
24+
TO-247
专业三极管 价格优势 质量保证
深圳
600
ST/意法
13+
TO247
深圳全新原装现货有实单价格可谈
深圳
8000
ST/意法
2019+
TO
长期供应/接受预定
1000
ST/意法
10+
TO247

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