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STGW39NC60VD

浏览次数:993次

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STGW39NC60VD最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
ST/意法
¥7.75

STGW39NC60VD中文资料规格参数

STGW39NC60VD概述

制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V/1.7 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 70 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
功率耗散: 250 W
封装: Tube
配置: Single

STGW39NC60VD数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
STMicroelectronics
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
15000
ST/意法
2223+
TO-247
只有原装库存 可开原型号票
12000
ST/意法
24+
TO-220-3
原装正品
24000
ST/意法
23+
N/A
原装正品力挺实单量大来谈
深圳
36688
ST/意法
15+
TO247
价格优势质量保证诚信经营
24000
ST/意法
23+
SMD
只做原装/全系列可订货

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