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优化的低边MOSFET

来源:转换器 作者:华仔 浏览:765

标签:

摘要: 日前,Vishay Intertechnology推出两款新的AEC Q101认证,40V,双N沟道的TrenchFET?功率MOSFET于该非对称的PowerPAK?SO-8L封装

 

日前,Vishay Intertechnology推出两款新的AEC Q101认证,40V,双N沟道的TrenchFET?功率MOSFET于该非对称的PowerPAK?SO-8L封装。对于汽车应用,日前,Vishay Siliconix SQJ940EP和SQJ942EP同时结合了高侧和低侧MOSFET的 s的要求为在一个紧凑的5×6mm的封装的高效率同步DC / DC降压转换器,节省空间相比,使用分立的MOSFET s,而的导通电阻,提供一个低侧最大下降到6.4MΩ。

其中业界首款汽车级双MOSFET S IN不对称的包,其中低端的大小MOSFET的增加为更低的传导损耗,MOSFET ?本公布今日报价高温作业到+175°C,以提供耐用性和所需的应用程序内的任何地方车辆的可靠性。这些器件特别适合于车辆远程信息处理,如无线电和GPS系统。

该SQJ940EP和SQJ942EP为设计人员提供不同的导通电阻值的选择。在10 V额定值时,SQJ940EP提供导通电阻为6.4mΩ时,通道2的低端低的最大的MOSFET和16mΩ时,通道1高边MOSFET相比双对称解决方案,本SQJ940EP提供的导通电阻低31%,低侧,同时仍保持紧凑的轮廓。该SQJ942EP提供导通电阻为11mΩ在10 V的低侧最大的MOSFET和22mΩ时,高边MOSFET

100%的Rg和UIS测试时,MOSFET的 S是符合RoHS标准且不含卤素。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67