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ST全新单芯片整合EMI和ESD保护功能

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:277

标签:

摘要: 意法半导体(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 单晶片,该元件整合 EMI 滤波与静电放电(ESD)保护功能,适用于配备SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡的手机、平板电脑和3G无线网卡。 EMIF06-MSD03F3採用微型封装技术,相较于竞争产品,EMIF06-MSD03F3可支援插电式或机械式卡插入识别,这个特性让设计人员能够

意法半导体(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 单晶片,该元件整合 EMI 滤波与静电放电(ESD)保护功能,适用于配备SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡的手机、平板电脑和3G无线网卡。

EMIF06-MSD03F3採用微型封装技术,相较于竞争产品,EMIF06-MSD03F3可支援插电式或机械式卡插入识别,这个特性让设计人员能够自由选用最适合应用设计和主机系统的卡识别方法。新产品还内建提升电阻(pull up resistor),当无卡插入时确保系统特性正常;此外还整合了可滤除GSM干扰讯号的EMI滤波器。

EMIF06-MSD03F3的主要特性:±15kV ESD保护电路(IEC 61000-4-2);保护SD卡的全部资料线和电源线;7pF最大负载电容;16-bump 0.4mm间间距晶圆级封装(WLCSP);採用0.4mm间距WLCSP封装,尺寸仅1.54 x 1.54mm,并採用ST独有的IPAD(Integrated Passive and Active Device technology)整合被动和主动元件技术。

  根据Strategy Analytics内建记忆卡的手机市场预测报告显示,截至2013年,约5亿台手机将内建UHS-I 相容SD卡。UHS类记忆卡拥有最高2 Terabyte的储存容量,其高速的储存性能可提升消费者的使用体验,如直接录製高画质视讯、播放共用内容或备份资料。

  手指触控手机会产生静电放电现象,这些静电可能会烧毁系统电路,因此卡内暴露的针脚须具备静电放电保护功能。为确保系统与记忆卡之间的通讯速度不受影响,设计人员必须根据特定介面的要求最佳化EMI滤波器与ESD保护晶片。意法半导体的新款晶片EMIF06-MSD03F3可保护资料速率高达104MB/秒的UHS-I micro-SD记忆卡介面。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67