摘要： 　　韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于日前宣布成功开发出采用3重单元（3bit/单元）技术的32Gbit NAND型闪存。　　　　此次开发出的产品与原来的多层单元（MLS）技术相比，芯片面积减少30％以上，可大大节约成本。该公司将以此新技术为基础，把仅限于量产16Gbit产品的48nm工艺扩大至32Gbit产品领域。该公司计划从10月开始量产。 　　　新产品是由8枚芯片组成的一个封装，通过将存储容量增加到32Gbit，可存储大量的信