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摘要: 采用NEC开发的层叠技术试制的双层层叠内存模块 NEC采用已经获得半导体厂商质量保证的通用BGA封装,开发出了可以自由开发和生产PoP(Package On Package,层叠封装)的高密度封装技术(日文发布资料)。目前已经采用这一技术试制出了层叠两层DDR2 SDRAM的内存模块,并验证了动作情况。该技术无需准备大型检测设备、夹具(Jig)和工具,设备厂商可自行组装PoP。 东北NEC计划在08年上半年推出采用此次开发的PoP技术的
采用NEC开发的层叠技术试制的双层层叠内存模块
NEC采用已经获得半导体厂商质量保证的通用BGA封装,开发出了可以自由开发和生产PoP(Package On Package,层叠封装)的高密度封装技术(日文发布资料)。目前已经采用这一技术试制出了层叠两层DDR2 SDRAM的内存模块,并验证了动作情况。该技术无需准备大型检测设备、夹具(Jig)和工具,设备厂商可自行组装PoP。
东北NEC计划在08年上半年推出采用此次开发的PoP技术的大容量内存模块等产品。
此次开发的PoP技术,应用了NEC开发的能够以裸芯片大小的面积进行三维封装的技术“FFCSP(flexible carrier folded real chip size package)”。将柔性底板(FPC)作为转接板(Interposer)。FPC与BGA封装相连接后,通过弯曲转接板即可使封装侧面和上部相粘合。这样一来,便实现了在封装的上下两面配备外部端子的构造。通过在封装的上部另外层叠BGA封装,即可组装PoP。通过采用FPC,可自由层叠外形和外部端子各不相同的LSI。
BGA封装端子(锡球,Solder Ball)和FPC之间的空隙,没有采用填充强化材料。为此还开发出了能够在不向BGA封装的最外部端子施加压力的情况下弯曲FPC的技术。从而将封装外部端子的表面平面度控制在了0.1mm以下。“能够在板卡(Board)封装时,以低成本实现良好的成品率”(NEC)。
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |