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英特尔与美光科技开发出全新闪存技术

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=275238' target='_blank'>zhouhaiyuang</a> 作者:华仔 浏览:745

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摘要: 据国外媒体今日报道,英特尔和美光科技已经合作开发了一种“Three-bit-per-cell(每个单元可存储3位数据)”的全新NAND闪存技术,并表示使用这种技术的闪存芯片是业内效率最高的NAND产品。目前几乎所有的闪存芯片都只能在每个单元中存储1位或2位数据,而存储3位数据的技术则可起到提高容量和降低成本的作用。NAND芯片通常用于闪存卡和U盘等存储设备,存储器的访问方式类似于硬盘。英特尔上个月称,该公司正在向更加先进的34纳米制造

    据国外媒体今日报道,英特尔和美光科技已经合作开发了一种“Three-bit-per-cell(每个单元可存储3位数据)”的全新NAND闪存技术,并表示使用这种技术的闪存芯片是业内效率最高的NAND产品。

  目前几乎所有的闪存芯片都只能在每个单元中存储1位或2位数据,而存储3位数据的技术则可起到提高容量和降低成本的作用。

  NAND芯片通常用于闪存卡和U盘等存储设备,存储器的访问方式类似于硬盘。英特尔上个月称,该公司正在向更加先进的34纳米制造工艺转型,来生产其基于NAND闪存技术的固态硬盘产品,这种产品将可帮助PC和笔记本厂商降低成本。英特尔和美光科技表示,两家公司将通过其合资企业从第四季度开始大规模生产这种芯片。

  美光科技存储部门副总裁布赖恩·谢利(Brian Shirley)称,两家公司将“继续推动进一步缩小NAND芯片尺寸的进程”,并表示其认为每个单元可存储3位数据的NAND技术是“我们布局图中的重要组成部分”。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67