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2009年DRAM厂商资本支出将下降47%

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=278186' target='_blank'>tangyaohua</a> 作者:华仔 浏览:433

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摘要: 台湾的市场调研公司集邦科技(DRAMeXchange)预测,2009年全球DRAM厂商的资本支出将比2008年减少47%。集邦科技认为,主要DRAM厂商为了应对不断上升的亏损和保存现金,放慢了技术节点迁移的步伐,这是预计资本支出下降的主要原因。预计今年资本支出为71亿美元,而2008年资本支出估计为134亿美元。2007年更是高达214亿美元,比2006年大增30%。集邦科技指出,力晶半导体及其合资公司瑞晶(Rexchip)预计会推迟向50纳米工艺转移的步伐,在

台湾的市场调研公司集邦科技(DRAMeXchange)预测,2009年全球DRAM厂商的资本支出将比2008年减少47%。

集邦科技认为,主要DRAM厂商为了应对不断上升的亏损和保存现金,放慢了技术节点迁移的步伐,这是预计资本支出下降的主要原因。预计今年资本支出为71亿美元,而2008年资本支出估计为134亿美元。2007年更是高达214亿美元,比2006年大增30%。


集邦科技指出,力晶半导体及其合资公司瑞晶(Rexchip)预计会推迟向50纳米工艺转移的步伐,在目前的工厂中只使用65纳米工艺。预计尔必达(Elpida)也将继续使用70纳米和65纳米工艺生产DDR2,只会把DDR3的生产转向50纳米工艺。


据集邦科技,预计龙头厂商三星也将降低2009年资本支出,这将影响其从68纳米向56纳米工艺的迁移。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67