英特尔公司日前披露了其45纳米工艺的初始细节，并声称已经制造出了世界上首批基于45纳米技术的芯片，从而领先其竞争对手一步。

英特尔表示，与其65纳米工艺相比，最新的45纳米技术在晶体管密度上提高了两倍，开关速度提高了20%，而功耗却降低了30%。此前，自去年下半年开始，英特尔就已经在采用65纳米工艺生产微处理器。

英特尔的45纳米工艺被命名为P1266，据称集成了铜互连(copper interconnects)、低K介电系数、应变硅(strained silicon)和技术特性。该公司计划采用193纳米“干式(dry)”光刻扫描器——而非沉浸式(immersion)工具，来制造45纳米器件，这也超出了此前一些分析人士的预料。

这家CPU巨头据称采用45纳米工艺，制造出了153Mbit SRAM原型。该原型器件包含几个元件，其中包括SRAM阵列、PROM阵列、锁相环(PLL)、I/O、寄存器文件和分立测试结构。

英特尔此项声明显示其45纳米工艺已经上路，预计将于2007年下半年实现量产