据EE Times网站报道，市场研究机构DRAMeXchange预计今年DRAM制造商的资本支出将较去年减少47%。

分析师将资本支出减少的原因归于主要的DRAM制造商为了应对亏损、保持现金量，放缓了技术节点的推进。

预计今年资本支出为71亿美元，2008年约为134亿美元，而2007年曾达到214亿美元，当年较2006年增长30%。

DRAMeXchange指出，台湾DRAM制造商，如Powerchip及其合资公司Rexchip将放缓转入50nm节点的脚步，仅在现有的晶圆厂中进行65nm制程的生产。Elpida预计也将保持70nm和65nm DDR2的生产，只是将其DDR3转入50nm制程。

甚至行业龙头Samsung预计也将在2009年削减支出，这将影响其从68nm转向56nm的步速。

分析师指出，即使Nanya和Inotera转向Micron的堆叠技术，他们可能同样采取非激进转型，在转入50nm之前将采用68nm制程，50nm制程将需要沉浸式光刻技术，Micron已开始转入该制程。

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