STY139N65M5高电压MOSFET

ST已经在高电压达到一个新的“低” MOSFET的小号，它在其此前的纪录为最低的RDS殴打或导通电阻最大 -247包引进的STY139N65M5。事实上，对于任何给定的封装尺寸，ST的线MDmeshTM至五超级结MOSFET的小号最低的RDS这些包。

主要特点

• 非常低RDS
• 容易推动MDmeshTM至五
• 无卤包
  • 高等教育VDSSR评级
• 较高的dv / dt的能力
  • 出色的开关性能
  • 100％雪崩测试

好处

• 下散热
• 改善最终产品的MTBF的生活
• 减少数量的并行MOSFET的小号

应用

• 高功率服务器电源
• 混合动力电动汽车（混合动力）
  • 高功率太阳能逆变器
• 功率因数校正（PFC）
• 桥的PFC
• 高压负荷开关

工具

• Spice模型可用