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摘要: GT Advanced Technologies于今日(1月31日)宣布,DSS™450 MonoCast™晶体生长系统面市。在总产出方面,GT的DSS™450 MonoCast™熔炉所生长材料生产的模块可媲美结合传统渗硼直拉单晶硅晶圆的模块。DSS450 MonoCast熔炉具备多种新功能,可实现每个铸锭的单晶硅产量≥
GT Advanced Technologies于今日(1月31日)宣布,DSS™450 MonoCast™晶体生长系统面市。在总产出方面,GT的DSS™450 MonoCast™熔炉所生长材料生产的模块可媲美结合传统渗硼直拉单晶硅晶圆的模块。DSS450 MonoCast熔炉具备多种新功能,可实现每个铸锭的单晶硅产量≥80%,与其他铸造单晶硅技术相比,能大幅提升每个晶柱中的I级晶圆(>90%单晶硅/晶圆)产量。GT的DSS450和DSS450HP系统率先采用MonoCast™技术。目前采用这些DSS熔炉的客户可将其现场升级为新的DSS450 MonoCast系统。
GT Advanced Technologies总裁兼首席执行官Tom Gutierrez表示:“晶柱铸造技术方面的进步为致力于提供可实现更高电池效率转换的下一代晶圆的传统多晶硅晶圆制造商创造了新的市场机遇。我们的DSS450 MonoCast系统延续了GT提供可直接投产产品的成功业绩,这些产品经过测试合作伙伴的严格测试,确保能满足规格。我们现有的DSS客户能将自己的设备升级为DSS450 MonoCast系统,借助这项可提高单晶硅产量以及电池效率的技术,在新市场成功展开竞争。”
GT Advanced Technologies副总裁间光伏业务部总经理Vikram Singh表示:“GT凭借在晶体生长流程知识、设备和控制系统设计以及全球支持方面的市场领先专长,为客户提供具有良好的性能和可重复性的先进技术系统。我们联手佐治亚理工学院持续开展有关材料科学和电池结构的工作,我们继续证明,在结合先进电池加工技术的情况下,MonoCast材料可实现的效率转换率超过19%。这是光伏制造商期待采用GT的MonoCast材料可实现的潜在电池效率增长的一项重要指标。
在总产出方面,GT的MonoCast材料所生产的模块可媲美结合传统渗硼直拉单晶硅晶圆的模块。DSS450 MonoCast晶圆制造的电池具有较低的光衰(LID),具有不切角正方形表面维度的晶圆相比准正方形的传统单晶硅晶圆具有更大的发电表面积。其结果是,该模块的效率与结合批量单晶硅晶圆的模块效率不相上下。
DSS450 MonoCast具有先进的新硬件以及业内首创的自动种子保留功能,可在融化和生长过程中避免浸渍和操作者干预,帮助实现自动化以及DSS450 MonoCast系统的生产价值。若结合GT的新Acuity™绩效软件,DSS450 MonoCast可反复生产高品质晶柱。
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型号 | 厂商 | 价格 |
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EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
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