英飞凌推出高效能场效电晶体(MOSFET)IPA65R280
来源：－－
作者：－－
浏览：576
时间：2016-08-10 14:18
标签：
摘要：
英飞凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣布推出全新 650V CoolMOS™ C6/E6 高效能场效电晶体(MOSFET)，结合先进超接面 (super junction) 技术，低导通电阻以及降低电容切换损失之优势、简单易用的切换控制以及高度耐用的二极管。C6 和 E6 系列采用相同的技术平台，前者是专为简单易用而设计，后者则提供最高的效率。C
英飞凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣布推出全新 650V CoolMOS™ C6/E6 高效能场效电晶体(MOSFET)，结合先进超接面 (super junction) 技术，低导通电阻以及降低电容切换损失之优势、简单易用的切换控制以及高度耐用的二极管。C6 和 E6 系列采用相同的技术平台，前者是专为简单易用而设计，后者则提供最高的效率。
CoolMOS™ C6/E6系列是英飞凌所推出领先业界，采用高压超接面技术 MOSFET 的第六代产品。新款 650V CoolMOS™ C6/E6 产品提供快速且可控制的切换效能，支援对效率及功率密度有高度需求的应用。650V CoolMOS™ C6/E6 产品易于进行设计 (design-in)，非常适用于各种节能的交换式应用，例如笔记型电脑的变压器、太阳能以及其他需要额外击穿电压电位差的 SMPS 应用产品。
英飞凌 HVMOS 功率离散式元件产品线经理 Jan-Willem Reynaerts 表示：“新款 650V C6/E6 系列产品让我们稍早推出的 CoolMOS™ 600V C6/E6 系列产品更臻完善，为650V的其他应用需求提供第六代 CoolMOS™ 技术。对于采用我们广受业界青睐之 C3 系列产品的客户，CoolMOS™ C6/E6 提供了绝佳的升级选择。”
相较于 CoolMOS™ C3 650V 系列，新款 650V CoolMOS™ C6/E6 系列的输出电容 (Eoss) 可减少储存电力达 20%，而 C6/E6 经过改良的本体二极管，在对抗硬式整流 (hard commutation) 时，显示高度的耐变性，并可减少 25% 的逆向回复电荷。C6/E6 系列产品的闸级电阻经过调整，设计能够维持平衡，因此切换时不会出现过电压及电流斜率。
上市时间与定价
IPA65R280C6 / IPA65R280E6（280mΩ，采用 TO220 FullPAK 封装）及 IPA65R380C6 / IPA65R380E6（380mΩ，采用 TO220 FullPAK 封装）目前已推出样品。新款 C6/E6 650V 系列的首批产品将于 2010 年 7 月开始量产。此产品线将逐步扩大，预计于 2010 年年底完成。
IPA65R280C6 / IPA65R280E6 的单价为 2.90 美元(以一万个单位为批量)。
如需获取更多资讯，请浏览 http://www、infineon、com/power 及 http://www、infineon、com/coolmos
