【电路图】LT1173组成的升压电路

LT1173组成的升压电路这个LT1173的应用电路，是应用于APD接收电路中的二极管反向偏置电压产生电路。

【新品播报】Sifotonics的10G－PON用1577nm APD指标有突破

Sifotonics最近在10G PON 1577nm APD产品的指标有突破，室温和高温灵敏度比传统III-V产品好0.5-1dB，已送样给国内外大客户认证。

【技术资讯】WTD成功研发10Gbps APD芯片产品

众所周知,目前APD芯片产品在国际市场上的采购价格高昂,产品开发技术难度大,而该产品又是XMDROSA和10GbpsTransponder光收发模块等产品有效降低成本的关键因素.目前国内具备2.5GbpsAPD

【解决方案】无线电骚扰统计参量的检测及应用

引言作为一种新的测量方法和研究骚扰特性的手段，幅度概率分布（APD）和噪声幅度分布（NAD）等统计测量方法正受到业界的广泛关注。随着CISPR把APD测量方法提到标准议程，国内越来越多的学者也开始关注这一新的测量方法。

【新品播报】LT3482

【用　途】 内部电源开关【性能 参数】　　采用3mmx3mm16引线QFN封装，高输出电压：高达90V，集成肖特基二极管，48V、280mA内部开关，高压侧APD电流监视器，可调开关频率：650kHz或

【电路图】高端跨阻抗放大器和 APD 监视器

流过一个具有大的反向偏置电位的光电二极管的电流直接通过一个 LTC6101 转换为接地参考输出电压。电源轨可高达 70V。I 至 V 转换电路 (跨阻抗放大器) 的增益通过选择电阻器 RL 来设定。

【电路图】雪崩光电二极管(APD)结构及原理

当耗尽区中的场强达到足够大（~3*1O^5V/cm）时，光生载流子将被加速到很高的速度，在运动过程中与晶格中的原子碰撞时会使之电离，产 生额外的电子空穴对。这些新生电子和空穴也被加速，发生新的碰撞和电离，产生更多的电子一空穴对。这个物理过程称为雪崩效应，它倍增 了一次光电流，使之得到放大。由于倍增过程是随机产生的，倍增增益就取统计平均值。＜g=G。倍增增益与许多因素有关，如载流子电 离系数，雪崩区

【解决方案】光电探测器多量子阱MQW结构APD

同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟，所以51材料被广泛应用于apd结构中，而gaas则较少使用。图1 所示是一个gaas/al.45ga0.55as多量子阱mqw结构apdn＇］。

【技术资讯】新型128x32 LED图形显示屏（Vishay

新的LED显示屏可替代广泛使用的APD-128G032等离子显示模块，在细长的封装内，为设计者提供了亮红(LEE-128G032B)或霓橙(LEE-128G032-1)两种

【技术资讯】InGaAs／InP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟

【新品播报】Vishay推出新型LED显示屏LEE-128G032x

新的LED显示屏可替代广泛使用的APD-128G032等离子显示模块，在细长的封装内，为设计者提供了亮红(LEE-128G032B)或霓橙(LEE-128G032-1)两种可供选

【技术资讯】用于红外单光子探测的APD二次封装技术（下）

　　介绍了用于红外光探测的APD二次封装的概念和技术，将绝热和致冷分开考虑和设计，在常温常压下进行填充式清洁干燥气密封装，保持真空密封的优点，消除潮气的影响，致冷效率高。