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【新品播报】2N5197/W

【用　途】场效应配对管【性能参数】N沟 50V 0.7-7mA 0.5W △=0.95-1 △Vgs=5mV Nf＜0.5dB【互换兼容】

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404 08-10
【新品播报】2N5464/W

【用　途】普通用途场效应管【性能参数】P沟 60V 2-9mA 0.31W Nf＜2.5dB 【互换兼容】

关键词：

357 08-10
【新品播报】BR24C04FV-W.

【用　途】串行接口电可擦写存储器【性能参数】双列8脚贴片式封装。

关键词：

226 08-10
【新品播报】BR24C04FJ-W

【用　途】串行接口电可擦写存储器【性能参数】双列扁平8脚封装。

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383 08-10
【新品播报】BR24C02-W

【用　途】串行接口电可擦写存储器【性能参数】双列8脚封装。

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319 08-10
【新品播报】BR24C01AFV-W.

【用　途】串行接口电可擦写存储器【性能参数】双列8脚贴片式封装。容量=128×8;每页256字节是不分页;最大块长度是8字节;硬件全部写保护区域;每一串行总线最多可连接器件数量8。

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246 08-10
【新品播报】M24C08-W

【用　途】串行接口电可擦写存储器【性能参数】工作电压=2.5～5.5V,存储容量=8Kbit。

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464 08-10
【新品播报】M24C04-W

【用　途】串行接口电可擦写存储器【性能参数】双列8脚封装,工作电压=2.5～5.5V,存储容量=4Kbit。

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380 08-10
【新品播报】M24C01-W

【用　途】串行接口电可擦写存储器【性能参数】双列8脚封装,工作电压=2.5～5.5V,存储容量=1Kbit。

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466 08-10
【新品播报】2N5115/W

【用　途】场效应开关/斩波/限幅管【性能参数】P沟 30V 15-60mA 0.5W Ron=100Ω 【互换兼容】

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349 08-10
【新品播报】2N5524/W

【用　途】普通用途场效应管【性能参数】N沟 40V 0.5-7.5mA 0.5W △=0.9-1 △Vgs=15mA 【互换兼容】

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431 08-10
【新品播报】2N5905/W

【用　途】场效应配对管【性能参数】N沟 40V 0.03-0.5mA 0.5W Nf＜1dB △=0.95-1 △Vgs=5m【互换兼容】

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496 08-10

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