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HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计,可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化,该器件采用密封的纯钽封装,可在高压力及恶劣环境中使用。
关键词:
624 08-10
HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计,可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化,该器件采用密封的纯钽封装,可在高压力及恶劣环境中使用。
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836 08-10
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540 08-10
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622 08-10
HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计,可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化,该器件采用密封的纯钽封装,可在高压力及恶劣环境中使用。
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643 08-10
HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计,可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化,该器件采用密封的纯钽封装,可在高压力及恶劣环境中使用。
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476 08-10
HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计,可在高能应用中提高可靠性及性能。 Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化,该器件采用密封的纯钽封装,可在高压力及恶劣环境中使用。
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724 08-10
HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计,可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化,该器件采用密封的纯钽封装,可在高压力及恶劣环境中使用。
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619 08-10