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结合实际，浅谈数字中继PCM故障的原因与清除方法。1.告警产生的原因 某一PCM系统与对端的相应系统的连接中由于单板配置、数据配置、虚焊、光路中断或其它原因而导致的传输故障即引起该告警。
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915 08-10
据国外媒体报道，三星电子和Numonyx表示，双方将联合开发前景广阔的下一代存储——相变存储(PhaseChangeMemory，PCM)技术标准。周二，三星电子和Numonyx发表联合声明，表示双方将合作开发PCM的通用标准，该技术有望用于高级听筒、移动电话和电脑设备中。英特尔和意法半导体(STM)去年合资组建了Numonyx。三星电子和Numonyx表示，PCM读写速度非常快，但耗电量却低于传统的NOR和NAND闪存。三星电子和Numonyx还表示，双方的通用标准将
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752 08-10
恒忆(Numonyx)与三星电子(SamsungElectronicsCo.)宣布将共同开发制定相变存储器(PhaseChangeMemory，PCM)产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求制定针对PCM产品的通用软硬件兼容标准，将有效简化设计流程并缩短产品开发时间，使制造商能在短时间内采用这两家公司推出的高性能、低功耗PCM存储产品。相较
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663 08-10
研扬科技发布一款最新的5寸嵌入式主板PCM-8120。随着嵌入式产品的性能不断提高，客户对成本的控制也要求更高，怎样实现两者的平衡呢？PCM-8120值此应运而生。PCM-8120采用高效能、低功耗的VIAC7处理器。除了支持VIAC7处理器(1GHz到2GHz)外，该款产品还可配备EdenV4Bus(400MHz到1.5GHz)处理器。
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474 08-10
ATMI公司和Ovonyx公司日前宣布，双方在采用化学气相沉积(CVD)工艺商业化生产基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)方面取得突破性进展。两家企业正在合作开发的项目获得重大进步，该化学气相沉积生产的基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)不仅能够实现按比例缩小，而且是一种具有成本竞争力的存储器技术。由于具有独特的性能，相变存储器(PCM)是存储器体系中的新生代产品，且是NOR型闪存的替代性产品；P
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587 08-10
现以一个简单的语声信号的脉冲编码调制（PCM）的编码，解码过程说明语声信号编码的概念，示意图如图1所示。图1 PCM编解码框图 由图可见，图中的A/D变换包含三个部分：抽样、量化和编码。
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188 10-13
据业界消息，IBM似乎打算在几年内通过采用相变化内存(PCM)来升级其服务器，而且消息来源是该公司内部的资深主管。不过一些研究报告与讨论都显示，PCM的制程微缩目前似乎面临瓶颈。PCM的原理是改变材料的相位(phase)与每个内存单元(memory cell)硫化层的电阻性，这种技术很具吸引力，因为具备非挥发性，以及密度与位可变性(bit-alterability)的优势，也被视为闪存与
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345 08-10
【用 途】 稳压二极管【性能 参数】稳压范围9.5~10.5V 典型值10V 电流5mA 功率250mW【互换 兼容】BG 贴片【BZX884-C10的原厂(中文)资料 数据手册 脚功能参数 封装】
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118 04-20
(a)L4970A／L4975A／L4977A ；(b)L4972A／L4974A图中各个重要元件由下表确定：输出电压Vout与电阻R10、R8的对应关系：电容C10与振荡频率f之间的对应关系：储能电感的选取
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757 08-10
MT8962/MT8963/MT8966/MT8967集成PCM过滤器的编、解码器电路的基本特性：1) ST-BUS (TM)兼容；2) 在1个lC内传送/接收过滤器、PCM编、解码器；3) 符合AT＆
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328 08-10
检修过程：根据故障现象，重点查电源部分400V滤波电解电容C7、启动电阻R1、R2和开关电源控制芯片IC1（M51977P）的16脚供电端滤波电解电容C10以及电源开关管Q1源极过流检测电阻R9，经查未发现异常根据以往经验，IC1的16脚电解电容C10性能下降容易产生一些稀奇
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196 09-30
