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Vishay目前宣布推出新一代500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了
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351 08-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，针对汽车、工业和医疗应用，推出具有防脉冲和良好耐硫能力的新系列厚膜片式电阻--- Vishay Draloric RCA-IF e3。Vishay Draloric RCA-IF e3系列器件具有优异的抗浪涌和脉冲的特性，耐硫能力符合ASTM B809 95的要求，在90℃下测试了1000小时，可用于
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322 08-10
注意:如果故障部位为R172处,可将该故障部位的元件更换为61A172-100-52T(1/4W,10Ω误差为±5%)规格元件;如果故障部位为C161处,可将该故障部位的元件更换为
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511 08-10
DS3170集成了DS3/E3成帧器和LIU(单芯片收发器)，与DS3/E3物理层铜缆接口。DS3170是由软件设置的DS3/E3单芯片收发器(SCT)。线路接口单元(LIU)具有独立的收发通道。
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865 08-10
vishay推出新型tnpu e3系列高精度薄膜扁平片式电阻，外壳尺寸分别为0603、0805和1206。vishay的新型tnpu e3薄膜扁平片式电阻融合了tnpw e3产品成熟的可靠性与先进的精度水平。
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246 08-10
（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列厚膜片式电阻---RCV e3，以满足工业和医疗应用对高电压器件的需求，同时节省宝贵的PCB空间。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸，限定芯电压分别为400V和500V。 RCV
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09-06
Sandy Bridge架构处理器中，桌面型号热设计功耗最低的也有35W，移动型号中的超低压版本虽然能够低至区区17W但仅用于OEM品牌机，零售用户无缘得见，不过在Xeon E3系列服务器型号中Xeon E3-1200系列处理器面向单路服务器与工作站市场，也是基于Sandy Bridge内核架构，封装接口都和桌面一样是LGA1155，其中的Xeon E3-1220L”热设计功耗只有
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848 08-10
lt;stc90.h> #defineucharunsignedchar #defineuintunsignedint uchard0,ss,gs,sf,gf,sm,gm; uchare1,e2,e3
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530 08-10
“不管外面世界怎样，起码我可以拍胸脯说，E3是最纯粹的职业电子竞技俱乐部，E3的选手都是最优秀的”Q:E3战队现在规模如何，训练环境怎样?
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739 08-10
