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Q1：主开关，主要作用是提供12VSW电流，特点饱和时Vec必须很小，热阻不能太大。 Q2：副开关，主要作用是旁路Q1，在MCU置高电平时导通，ce拉低使Q1工作。 C1：去除干扰，防止Q1意外导通。 下面
关键词：
282 09-30
测量C1正极电压为正常300V，继续测量Q1的基极，万用表指针有偏转指示，说明启动电阻R3、R4正常。怀疑Q1有问题，拆下Q1测显，发现已损坏，换新后通电指示灯仍未亮，还是无输出电压：断电后围绕Q1周围元件检查。
关键词：
755 08-10
经进一步仔细检查，发现Q1的漏（D）-源（S）极击穿，R2开路，C8变值。逐一更换上述损坏元器件后，通电试机，测二次侧仍无电压输出，由此判断保护电路有问题。 该机过电流保护电路主要由Q4、R2等组成，当Q1的导通电流ID-S增大时，在R2上的压降随之增大，当该电压增到0.7V时，Q4正偏饱和导通，这相当于Q1的栅（G）极对地短接，Q1因此迅速截止而得以保
关键词：
510 08-10
基本的图开关管各脚的工作波形假设Q1放大倍数为A，基极驱动电流为B，则L T2A(也就是Q1集电极)电流增长到A*B时，不再增长，L T2A磁通不再变化，L T2B感应电压减小，L T2B到Q1基极的正反馈电流减小，这样Q1基极电流开始减小，集电极电流也减小，L T2C电压反向。
关键词：
1731 06-28
出现此故障的原因有： （1）开关电源电路Q1内部击穿，R16、R10开路。更换Q1、R16、R10； （2）开关电源电路R11、R9开路，D8短路。更换R11、R9、R8后，故障排除。
关键词：
563 08-10
分别测量滤波电容C26、C30两端电压约为15V和10V，测量三极管Q1、Q2的c极对地电压约为2.4V和8.2V. 因此说明Q1的c极电源及自身存在故障。检查三极管Q1正常。
关键词：
549 08-10
在不发生过充时，由于D1的阻隔Q1不导电。当充电电压升到14V左右时，晶体管Q1（2N3055）开始导通，它对电池进行分流，以防止电解液蒸发，有利于散热。Q1应装在中等尺的散热板上。Q1也可以用NTE143A。如选用低电压的齐纳管，本电路也可以用镍镉电池上。
关键词：
2769 08-10
市场调研机构Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市场份额公司排名情况。在Q1排名中市场份额扩大的优胜者是三星，美光及力晶及茂德。Q1市场份额减少的失意者为海力士，尔必达，南亚和威邦。 Q1的市场排名中依销售额计，三星居首位，接下来为海力士，尔必达，美光，力晶，南亚，威邦，茂德，东芝和钰创科技。
关键词：
225 08-10
拆掉Q1测Cl两端及Ul各脚在路电阻均正常，将Fl及Q1更换后充电器通电，电源指示灯正常点亮，输出电压也正常。但是刚把蓄电池连接好只见红色充电指示灯闪一下就灭了，再进行检测发现Q1再次击穿损坏，但是手摸Q1并不感觉到过热，这说明应该是01的反峰保护元件有问题。（即R7、Cl0及D5中某个或多个损坏）。&nbs
关键词：
598 08-10
由场效应管Q1导通，输入电流流过变压器和场效应管Q1，再场效应管Q1关断，使得输入电流通过电磁感应到变压器的输出端，实现能量的传递。由于变压器初级存在漏感，漏感和场效应管Q1的寄生电容产生振荡，振荡产生的减压尖峰，在能量传递过程中，也传递到了输出端，形成噪声。漏源级的电压波形如图所示。图 优异的纹波噪声
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112 09-30
下面是 [主板CPU的PWM供电电路路图]的电路图 主板CPU的PWM供电电路路图这是一个三相供电图，Q1和Q2组成一相，Q3和Q4组成一相，Q5和Q6组成一相。CS5301通过Gate1(H)脚输出控制Q1导通与截止，通过Gate2(L）输出控制Q2的导通与截止。当Gate1(H)输出时，Q1导通，此时Q2截止（Gate1(L)无输出），＋12V 端L4及滤波电容C15和C16的储能，通过Q1释放并向L1及其后
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2991 08-10
