关键字: sihp18n50c sihf18n50c sihg20n50c 日前，vishay intertechnology, inc.宣布，推出新型500v电压的功率mosfet --- sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)、sihg20n50c，将该公司的6.2代n沟道平面fet技术延伸到to-220、to-220f和to-247封装上。

　　新的sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)和sihg20n50c具有500v的额定电压，在10v栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27ω。低rds(on)意味着更低的传导损耗，从而为各种电子系统中的功率因数校正(pfc)和脉宽调制(pmw)应用节约能量，这些应用包括lcd tv、pc机、服务器、通信系统和焊接机器。 　　除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nc。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中mosfet的关键品质因数(fom)，这些器件的品质因数只有17.75。 　　为提高操作的可靠性，器件经过了100%的雪崩测试，可承受高单脉冲(eas)和反复(ear)雪崩能量。器件可处理72a的脉冲电流和18a的连续电流。所有这三款器件均具有有效的输出电容规格。与前一代500v功率mosfet相比，新器件在跨导和反向恢复特性上也有所改进。 　　sihp18n50c和sihf18n50c可提供无铅端子，采用to-220和fullpak封装。sihg20n50c提供无铅的to-247封装。新器件现可提供样品，将于2009年第三季度实现量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。