【用 途】 离线式开关电路
【性能 参数】
采用DIP8脚和SO-8脚封装。
产品特色为：
(1)大大简化恒压转换器的设计。
(2).省去光耦和所有二次侧恒压控制电路。
(3)省去偏置绕组电源，IC自偏置。
先进的性能特性包括：
(1)补偿外围元件的温度漂移。
(2)专利的IC参数调整技术，使得IC参数的公差非常严格。
(3)连续和（或）非连续导通模式工作，增强设计灵活性。
(4)频率调制技术极大降低了EMI滤波元件的成本。
(5)通过外部电阻的选择/调节实现更严格的输出容差。
先进的保护/安全特性包括：
(1)自动重启动保护功能在输出短路及控制环路故障（元件开路和短路）状况下可将输出功率降低95%以上。
(2)迟滞热关断——自动恢复功能可降低电源从故障现场的回收。
(3)无论在PCB上，还是在封装上，都保证高压漏极与其他所有引出脚之间满足高压爬电距离要求。
高效节能包括：
(1)在AC230V输入条件下空载功耗低于200mW，使用可选外部偏置绕组时可低于70mW。
(2)无需增加任何元件，轻松满足全球所有的节能标准。
(3)开/关控制可在极轻负载时具备恒定的效率——是达到强制性EISA和“能源之星”2．O标准的理想选择。
引脚排列图：
【互换 兼容】
上芯片在一个器件上集成了一个高压功率MOSFET开关及一个电源控制器。与LinkSwitch-LP和TinySwitch-III相似，它使用开/关控制方式来调节输出电压。LinkSwitch-CV控制器包括一个振荡器、反馈（检测及逻辑）电路、6V稳压器、过热保护、频率调制、电流限流电路、前沿消隐功能以及用于恒压控制的开/关状态机。
1．恒压(CV)工作方式
控制器使用开/关状态机调节反馈引脚电压，使其维持在VFBth的水平。在高压开关关断2.5μs后，对反馈引脚电压进行采样。轻载条件下，还会降低电流限流点，从而降低变压器磁通密度。
2．自动重启动和开环保护
一旦出现故障，例如在输出短路或开环情况下，LinkSwitch-CV会进入相应的保护模式，具体情况如下所述。
一旦反馈引脚电压在反激期间降低到VFBth-0.3V以下，而在反馈引脚采样延迟时间(约2.5_us)超过200ms（自动重启动导通时间tAR-ON）之前，转换器进入自动重启动模式，此时功率MOSFET被禁止2.5s（约8%的自动重启动占空比）。自动重启动电路对功率MOSFET进行交替使能和关闭，直到故障排除为止。
除了上述触发自动重启动的情况外，在工作周期的正激期间（开关导通时间），如果检测到反馈引脚电流低于120μA，转换器会将此“报告”为开环故障（电位分压器的顶部电阻开路或丢失），并将自动重启动时间从200ms降低到大约6个时钟周期(90μs)，同时使禁止周期维持在2.5s。这样可以将自动重启动占空比减小到0.01%以下。
3．过热保护
热关断电路检测结的温度。阈值设置在142℃并具备60℃的迟滞范围。当结温度超过这个阈值(142℃)，功率MOSFET开关被禁止，直到结温度下降60℃，MOS-FET才会重新使能。
4．电流限流点
电流限流电路检测功率MOSFET的电流。当电流超过内部阈值（ILIMIT）时，在该周期剩余阶段会关断功率MOSFET。在功率MOSFET开启后，前沿消隐电路会将电流限流比较器抑制片刻（tLEB）。通过设置前沿消隐时间，可以防止由电容及整流管反向恢复时间产生的电流尖峰引起导通的MOSFET提前误关断。
5。6。OV稳压器
只要MOSFET处在关闭状态，6V稳压器就会从漏极的电压吸收电流，将连接到旁路引脚的旁路电容充电到6V，旁路引脚是内部供电电压节点。当MOSFET开启时，器件使用存储在旁路电容中的能量。内部电路的极低功耗使LinkSwitch-CV可使用从漏极吸收的电流持续工作。一个1μF的旁路电容就足够实现高频率的去耦及能量存储。
